スパッタリングは、真空チャンバー内で高エネルギーのイオンをターゲット材料に衝突させ、ターゲットから原子や分子を剥がし飛ばすことで薄膜を形成する手法です。スパッタリングの基本原理プラズマ生成: 真空チャンバーに不活性ガス(主にアルゴン)を導入し、ターゲットに電圧をかけるとガスがプラズマ状態となり、イオン化されます。イオン加速: 生成したイオンはターゲットの負の電荷に引き寄せられ、高速で加速されます。ターゲット衝突: 加速したイオンがターゲット表面に激しく衝突し、ターゲット材料の原子や分子を叩き出します。膜堆積: ターゲットから放出された原子や分子が基板に向かって飛散し、基板上に薄膜を形成していきます。スパッタリングの特徴高運動エネルギーの成膜粒子が基板に当たるため、密着力が高く緻密な膜質となる高融点金属や合金、セラミックスなど様々な材料の薄膜形成が可能反応性ガスを導入すれば、酸化物や窒化物などの化合物薄膜も作製できるプロセスが安定しているため、優れた膜質・膜厚制御性を実現高い圧力下で成膜するため、凹凸のある基板にも良好なステップカバレッジが得られるターゲットの面積が広いことから、均一な膜厚分布が実現しやすい代表的なスパッタリング方式2極スパッタリングターゲットを陰極、基板を陽極とする最も基本的な方式。シンプルな装置構成だが、ガス導入量が多く低速成膜となる欠点がある。マグネトロンスパッタリングターゲット近くに磁場を発生させ、電子の運動を制御してプラズマ密度を高める。現在の主流方式で、高速成膜が可能となるが、ターゲット利用効率が低い。DC(直流)スパッタリングターゲットに直流電源を用いる。導電性材料のスパッタリングにのみ適用可能。RF(高周波)スパッタリング高周波電源を用いるため、絶縁体のターゲットでもプラズマが発生する。ただし成膜速度はDCより遅い。反応性スパッタリング不活性ガスに加え、酸素や窒素などの反応性ガスを導入し、酸化物や窒化物などの化合物薄膜を作製する方式。このように、成膜条件や目的に合わせて様々なスパッタリング方式が存在し、適切な方式を選択する必要があります。試作品に関するお悩みなら346にご相談ください弊社346は、製造業に特化し、様々な専門家を有するメンバーで構成された組織であり、新商品の企画・設計・試作の支援など、製品開発全域にわたる総合支援を行っています。346の支援実績を見る 「新商品開発の依頼先がたくさんあってコミュニケーションが大変...」「どの部品をどの加工方法でつくればいいかわからない...」「図面を作るのが手間..3Dで出図したい...」 そんなお悩みのある方はぜひ、資料請求ページからお問い合わせください。Wrriten by 346 inc. with Xaris